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參數(shù)資料
| 型號： | 2N7002D87Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 746K |
| 代理商： | 2N7002D87Z |
2N7000.SAM Rev. A1
0.0001
0.001
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0.1
1
10
100
300
0.001
0.002
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
R
A
N
S
IE
N
T
H
E
R
M
A
L
R
E
S
IS
T
A
N
C
E
r(t),
NORMALIZED
EFFECTIVE
1
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0 .05
0 .02
0 .01
0 .2
Duty Cycle, D = t
/t
1
2
R
(t) = r(t) * R
R
= (See Datasheet)
θJA
T - T
= P * R
(t)
θJA
A
J
P(pk)
t1
t 2
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0.1
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t , TIME (sec)
T
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A
N
S
IE
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M
A
L
R
E
S
IS
T
A
N
C
E
r(t),
NORMALIZED
EFFECTIVE
1
Single Pulse
D = 0 .5
0.1
0.05
0 .02
0.01
0 .2
Duty Cycle, D = t
/t
1
2
R
(t) = r(t) * R
R
= (See Datasheet)
θJA
T - T
= P * R
(t)
θJA
A
J
P(pk)
t1
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1
2
3
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
,
DRAI
N
C
URRENT
(A)
DS
D
V
= 10V
SINGLE PULSE
T
= 25°C
GS
A
RDS(ON)
Li
m
it
100
m
s
1m
s
10
m
s
DC
1s
100us
10
s
Figure 16. TO-92, 2N7000 Transient Thermal Response Curve
Figure 17. SOT-23, 2N7002 / NDS7002A Transient Thermal Response Curve
1
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5
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V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
,
DRAI
N
C
URRENT
(A)
DS
D
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= 10V
SINGLE PULSE
T
= 25°C
GS
A
RDS(ON)
Li
m
it
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s
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, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
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DRAI
N
C
URRENT
(A)
DS
D
V
= 10V
SINGLE PULSE
T
= 25°C
GS
A
RDS(ON)
Li
m
it
100
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1m
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DC
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Figure 13. 2N7000 Maximum
Safe Operating Area
Figure 14. 2N7002 Maximum
Safe Operating Area
Figure 15. NDS7000A Maximum
Safe Operating Area
Typical Electrical Characteristics (continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000D74Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000J18Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7000L-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-K | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7002-D87Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號:2N7002 標準包裝:1 |
| 2N7002DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7002DSPT | 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET |
| 2N7002DW | 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002DW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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