參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002K-T1-E3
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 210K
代理商： 2N7002K-T1-E3
Document Number: 71333
S09-0857-Rev. E, 18-May-09
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
2N7002K
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
Output Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current
Gate Charge
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
012
345
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
-Dr
ain
Current
(A)
I
D
VGS = 10 V
3 V
5 V
4 V
6 V
7 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
200
400
600
800
1000
ID - Drain Current (mA)
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
-On-Resistance
(
Ω
)
R
DS(on)
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
VDS = 10 V
ID = 250 mA
-Gate-to-Source
V
oltage
(V)
Qg - Total Gate Charge (nC)
V
GS
Transfer Characteristics
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
0
300
600
900
1200
0123456
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
-Dr
ain
Current
(mA)
I D
TJ = - 55 °C
125 °C
25 °C
0
8
16
24
32
40
0
5
10
15
20
25
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
C
-
Capacitance
(pF)
Crss
Coss
Ciss
VGS = 0 V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Junction Temperature (°C)
VGS = 10 V at 500 mA
VGS = 4.5 V
at 200 mA
(Nor
maliz
ed)
-On-Resistance
R
DS(on)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002K-T1-GE3 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
2N7002KFN3 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N706 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA
2N709 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N726 50 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2N7002KT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 60V 380mA SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 380mA SOT-23
2N7002K-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002KT3G 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 380mA SINGL CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002KTB 制造商:PANJIT 制造商全稱(chēng):Pan Jit International Inc. 功能描述:60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
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