參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7007
廠(chǎng)商： SUPERTEX INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
中文描述： 65 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 20K
代理商： 2N7007
7-14
2N7007
Thermal Characteristics
Package
I
D
(continuous)*
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Conditions
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
240
V
I
D
= 100
μ
A, V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V
T
A
= 125
°
C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 20V
V
GS
= 10V, V
DS
= 20V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 20mA
V
GS
= 10V, I
D
= 50mA
V
DS
= 10V, I
D
= 50mA
Gate Threshold Voltage
1
2.5
V
Gate Body Leakage
10
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
100
nA
1
μ
A
I
D(ON)
ON-State Drain Current
50
150
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source ON-State Resistance
45
45
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
t
(ON)
t
(OFF)
V
SD
Forward Transconductance
30
m
Input Capacitance
30
Common Source Output Capacitance
15
pF
Reverse Transfer Capacitance
10
Turn-ON Time
30
Turn-OFF Time
20
Diode Forward Voltage Drop
1.2
V
I
SD
= 65mA, V
GS
= 0V
Notes:
1. All D.C. parameters 100% tested at 25
°
C unless otherwise stated. (Pulse test: 300
μ
s pulse, 2% duty cycle.)
2. All A.C. parameters sample tested.
mA
ns
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
DD
= 60V, I
D
= 50 mA,
R
GEN
= 25
Switching Waveforms and Test Circuit
90%
10%
90%
90%
10%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
INPUT
OUTPUT
10V
V
DD
R
gen
0V
0V
Electrical Characteristics
(@ 25
°
C unless otherwise specified)
I
D
(pulsed)
Power Dissipation
@ T
C
= 25
°
C
1W
θ
jc
°
C/W
125
θ
ja
°
C/W
170
I
DR
*
I
DRM
TO-92
*
I
D
(continuous) is limited by max rated T
j
.
65mA
260mA
65mA
260mA
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PDF描述
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