型號: | 2PB1219ART/R |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 197K |
代理商: | 2PB1219ART/R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2PB1219AST/R | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2PB709AQW | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2PB709AR,115 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2PB710Q-TAPE-7 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2PB710R-TAPE-7 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2PB1219AS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
2PB1219AS /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB1219AS T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB1219AS,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB1219AS,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |