參數(shù)資料
型號: 2PB1219ART/R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大?。?/td> 197K
代理商: 2PB1219ART/R
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1997 Mar 25
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB1219A
PNP general purpose transistor
handbook, halfpage
M3D187
相關PDF資料
PDF描述
2PB1219AST/R 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709AQW 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709AR,115 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2PB710Q-TAPE-7 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB710R-TAPE-7 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2PB1219AS T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AS,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2