參數(shù)資料
型號(hào)： 2PB1219ART/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 197K
代理商： 2PB1219ART/R
1999 Apr 12
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistor
2PB1219A
FEATURES
High current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 50 V)
Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package.
NPN complement: 2PD1820A.
MARKING
Note
1.
= - : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE(1)
2PB1219AQ
D
Q
2PB1219AR
D
R
2PB1219AS
D
S
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
emitter
3
collector
Fig.1
Simplified outline (SOT323; SC70)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM048
Top view
2
1
3
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Refer to SOT323; SC70 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
60
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
50
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
5
V
IC
collector current (DC)
500
mA
ICM
peak collector current
1
A
IBM
peak base current
200
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C; note 1
200
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB1219AST/R 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709AQW 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709AR,115 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2PB710Q-TAPE-7 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB710R-TAPE-7 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2PB1219AS T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AS,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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