參數(shù)資料
型號(hào)： 2PB709BRL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors
中文描述： 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： 2PB709BRL
2PB709BRL_2PB709BSL
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 28 June 2010
4 of 13
NXP Semiconductors
2PB709BRL; 2PB709BSL
50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors
7. Characteristics
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base cut-off
current
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
FR4 PCB, standard footprint
Fig 2.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
006aaa991
10
5
10
10
2
10
4
10
2
10
1
t
p
(s)
10
3
10
3
1
10
2
10
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.01
0.10
0.05
0.02
0
δ
= 1
Characteristics
Conditions
V
CB
=
60 V; I
E
= 0 A
V
CB
=
60 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0 A
Min
-
-
Typ
-
-
Max
10
5
Unit
nA
μ
A
I
EBO
emitter-base cut-off
current
DC current gain
h
FE
group R
h
FE
group S
collector-emitter
saturation voltage
transition frequency
-
-
10
nA
h
FE
V
CE
=
10 V; I
C
=
2 mA
210
210
290
-
-
-
-
460
340
460
250
V
CEsat
I
C
=
100 mA;
I
B
=
10 mA
V
CE
=
6 V; I
C
=
10 mA;
f = 100 MHz
V
CB
=
10 V; I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
[1]
-
mV
f
T
100
200
-
MHz
C
c
collector capacitance
-
-
3
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB710ASL 50 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
2PC4081Q NPN general-purpose transistor
2PC4081R NPN general-purpose transistor
2PC4617RM NPN general purpose transistors
2PD1820AR NPN general purpose transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PB709BRL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -50 V -200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709BSL 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNP50V0.2ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,50V,0.2A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,50V,0.2A,SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
2PB709BSL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -50 V -200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR
2PB710A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*