參數(shù)資料
型號: 2PB710A
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP general purpose transistor
中文描述: 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 42K
代理商: 2PB710A
1999 May 31
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PB710A
FEATURES
High current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 50 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in an SC-59 plastic package.
NPN complement: 2PD602A.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
2PB710AQ
2PB710AR
2PB710AS
DQ
DR
DS
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SC-59) and symbol.
handbook, halfpage
1
2
1
3
2
3
MAM322
Top view
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
60
50
5
500
1
200
250
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB710AQ PNP general purpose transistor
2PB710AR PNP general purpose transistor
2PB710AS PNP general purpose transistor
2PC1815 NPN general purpose transistor
2PC1815BL NPN general purpose transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PB710AQ 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:PNP General Purpose Transistor
2PB710AQ T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710AQ,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710AR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor
2PB710AR T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2