參數(shù)資料
型號(hào)： 2PB710A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 42K
代理商： 2PB710A
1999 May 31
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PB710A
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
10
5
10
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
60 V
I
E
= 0; V
CB
=
60 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
150 mA; V
CE
=
10 V; note 1
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
2PB710AQ
2PB710AR
2PB710AS
DC current gain
collector-emitter saturation voltage I
C
=
300 mA; I
B
=
30 mA; note 1
base-emitter saturation voltage
collector capacitance
transition frequency
2PB710AQ
2PB710AR
2PB710AS
85
120
170
40
170
240
340
600
1.5
15
I
C
=
500 mA; V
CE
=
10 V; note 1
V
CEsat
V
BEsat
C
c
f
T
mV
V
pF
I
C
=
300 mA; I
B
=
30 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz; note 1
100
120
140
MHz
MHz
MHz
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PDF描述
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