參數(shù)資料
型號： 2SA0683
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
中文描述： 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 99K
代理商： 2SA0683
2SA0683, 2SA0684
2
SJC00001CED
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
0
160
40
120
80
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
10
8
2
6
4
0
1.5
1.25
1.0
0.75
0.50
0.25
I
B
=
10 mA
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
T
a
=
25
°
C
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0
12
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
Base current I
B
(mA)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/ I
B
=
10
C
C
Collector current I
C
(A)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
B
B
Collector current I
C
(A)
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(A)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
T
T
Emitter current I
E
(mA)
1
10
100
0
50
40
30
20
10
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
0.1
1
10
100
0
120
100
80
60
40
20
I
C
=
10 mA
T
a
=
25
°
C
2SA0684
2SA0683
Base-emitter resistance R
BE
(k
)
C
C
相關PDF資料
PDF描述
2SA683 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SA0684 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SA684 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SA0719 For low-frequency power amplification and driver amplification Complementary
2SA0720 For low-frequency power amplification and driver amplification Complementary
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2SA0683(2SA683) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス － 小信號トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SA0683/2SA0684(2SA683/2SA684) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SA0683. 2SA0684 (2SA683. 2SA684) - PNP Transistor
2SA06830R 功能描述:TRANS PNP 25VCEO 1A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA0683Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR
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