參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1418-R
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： 2SA1418-R
2SA1418 / 2SC3648
No.1788-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)120V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)100mA
100*
400*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)10mA
90
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
120
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(11)8
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)250mA, IB=(--)25mA
(--0.2)0.12
(--0.5)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)250mA, IB=(--)25mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(60)50
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(900)1000
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(60)60
ns
*: The 2SA1418 / 2SC3648 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
INPUT
100V
50Ω
100μF
470μF
--5V
IC=20IB1=--20IB2=300mA
(For PNP, the polarity is reversed)
+
VR
PW=20μs
D.C.≤1%
333Ω
RB
IB1
IB2
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PDF描述
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