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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1804 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 晶體管（功率放大器應(yīng)用） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | 2SA1804 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1805 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SA1806 | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SA1811 | TRANSISTOR (LOW FREQUENCY, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS |
| 2SA1816 | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SA1816(TENTATIVE) | Silicon PNP epitaxial planer type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1804-O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1804-R(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1805-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1806JRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
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