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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2066 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 元件分類： | DC/DC變換器 |
| 英文描述： | High-Speed Switching, DC-DC Converter Applications |
| 中文描述： | 高速開關(guān)，DC - DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | 2SA2066 |
2SA2066
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2066
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
High DC current gain: h
FE
= 200 to 500 (I
C
=
0.2 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
=
0.19 V (max)
High-speed switching: t
f
= 25 ns (typ.)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
20
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
10
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
2.0
Collector current
Pulse
I
CP
3.5
A
Base current
I
B
200
mA
t = 10 s
2.0
Collector power
dissipation
DC
P
C
(Note 1)
1.0
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2
)
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
20 V, I
E
= 0
―
―
0.1
μA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
7 V, I
C
= 0
―
―
0.1
μA
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
=
10 mA, I
B
= 0
10
―
―
V
h
FE
(1)
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.2 A
200
―
500
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.6 A
125
―
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
=
0.6 A, I
B
=
0.02 A
―
―
0.19
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
=
0.6 A, I
B
=
0.02 A
―
―
1.1
V
Rise time
t
r
―
50
―
Storage time
t
stg
―
115
―
Switching time
Fall time
t
f
See Figure 1.
V
CC
≈
6 V, R
L
= 10
I
B1
= I
B2
=
20 mA
―
25
―
ns
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SA2069 | High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications |
| 2SA2070 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type |
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| 2SA2075 | Silicon PNP epitaxial planar type |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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