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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB0928 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | For Power Amplification |
| 中文描述： | 2 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | 2SB0928 |
2SB0928, 2SB0928A
2
SJD00010BED
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
Safe operation area
R
th
t
0
0
160
40
120
80
10
30
20
40
(1)T
=
T
(2)With a 50 mm
×
50 mm
×
2 mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(P
C
=
1.3 W)
(1)
(2)
(3)
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
600
500
400
300
200
100
T
C
=
25
°
C
4.0 mA
3.5 mA
3.0 mA
2.5 mA
2.0 mA
1.5 mA
1.0 mA
0.5 mA
I
B
=
4.5 mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0
1.0
0.8
0.6
0.4
– 0.2
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–2.0
–1.6
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
C
=
100
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0.01
0.01
0.1
1
10
0.1
1
I
C
/ I
B
=
10
T
C
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(A)
0.01
0.1
1
10
1
10
V
CE
=
10 V
T
C
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(A)
10
2
10
4
10
3
0.01
0.1
1
10
1
10
V
CE
=
10 V
f
=
10 MHz
T
C
=
25
°
C
T
T
Collector current I
C
(A)
10
2
10
4
10
3
–1
–10
–100
–1
000
– 0.01
–10
–1
– 0.1
Non repetitive pulse
T
C
=
25
°
C
t
=
1 ms
t
=
5 ms
2
2
I
CP
I
C
t
=
0.5 ms
t
=
300 ms
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
10
2
10
1
1
10
10
3
10
2
10
4
10
4
10
3
10
2
10
1
10
1
10
2
10
3
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 50 mm
×
50 mm
×
2 mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SB0928A | For Power Amplification |
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| 2SB0930A | For Power Amplification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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