參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1124-T
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 96K
代理商： 2SB1124-T
2SB1124/2SD1624
No.2019—2/4
Switching Time Test Circuit
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
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n
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R
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mp
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c
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a
C
t
u
p
t
u
OC b
o
V B
C
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H
M
1
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V
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–
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9
3
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(
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(
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B
A
m
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1
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–
(
=
)
5
3
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–
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7
.
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–
(V
9
1
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.
0V
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l
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V
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u
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S
r
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m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV
)
t
a
s
(
E
B
IC
I
,
A
2
)
–
(
=
B
A
m
0
1
)
–
(
=)
4
9
.
0
–
(2
.
1
)
–
(V
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g
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t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
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s
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B
-
o
t
-
r
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t
c
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ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
6
)
–
(V
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V
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o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
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g
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t
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V
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B
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i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
e
m
i
T
N
O
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Tt n
o
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t
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c
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C
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S
0
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0
7
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C
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T
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f
i
c
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p
s
e
S
5
3s
n
)
5
3
(s
n
Continued from preceding page.
VR
RB
25V
--5V
+
50
INPUT
OUTPUT
25
100F
470F
PW=20s
10IB1= --10IB2=IC=1A
(For PNP, the polarity is reversed.)
IB1
D.C.≤1%
IB2
--5.0
--3.0
--2.0
--1.0
--4.0
--4.5
--2.5
--1.5
--0.5
--3.5
0
0--0.4
--0.8
--2.0
--1.6
--1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08907
2SB1124
--5mA
--10mA
--20mA
--50mA
--100mA
--200mA
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
--1.6
--1.8
--1.0
--0.6
--0.2
--1.4
0
0--4
--8--20
--16
--12
--2
--6
--18
--14
--10
IC -- VCE
IB=0
ITR08909
2SB1124
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--14mA
--12mA
--10mA
5.0
3.0
2.0
1.0
4.0
4.5
2.5
1.5
0.5
3.5
0
0.4
0.8
2.0
1.6
1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08908
2SD1624
5mA
10mA
20mA
80mA
60mA
40mA
100mA
2.0
1.2
0.8
0.4
1.6
1.8
1.0
0.6
0.2
1.4
0
04
8
20
16
12
26
18
14
10
IC -- VCE
IB=0
ITR08910
2SD1624
2mA
1mA
3mA
4mA
6mA
5mA
8mA
7mA
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1132T100/PR 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1132T100PQ 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1132T100/PQ 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1132T100PR 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1132T100QR 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1124T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1124T-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1124T-TD-SSC 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
2SB1124U 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SB1125 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:Driver Applications
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