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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1124-T |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | 2SB1124-T |
2SB1124/2SD1624
No.2019—3/4
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--3.2
--2.8
--2.4
--1.6
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
0
IC -- VBE
ITR08911
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1124
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
3.2
2.8
2.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0.4
0
IC -- VBE
ITR08912
Ta
=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1624
VCE=2V
23
5
0.1
10
23
5
0.01
23
5
1.0
f T -- IC
100
10
2
5
7
1000
7
5
3
2
3
ITR08915
2SB1124
2SD1624
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
10
1.0
2
3
5
2
27
35
100
27
35
ITR08916
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--0.01
23
5
--0.1
23
7
--1.0
ITR08913
2SB1124
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25°C
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
0.01
23
5
0.1
23
7
1.0
ITR08914
2SD1624
VCE=2V
Ta=75°C
25
°C
--25°C
2
5
7
3
2
5
3
--100
--10
--1000
23
5
7
77
--0.01
23
5
3
5
--0.1
2
--1.0
ITR08917
VCE(sat) -- IC
2SB1124
IC / IB=20
75°
C
25°C
Ta=
--2
5°C
2
5
7
3
2
5
3
100
10
1000
23
5
7
77
0.01
23
5
3
5
0.1
2
1.0
ITR08918
VCE(sat) -- IC
2SD1624
IC / IB=20
25°C
Ta=75°
C
--25°C
2SB1124 /
2SD1624
VCE=10V
2SB1124
2SD1624
2SB1124 /
2SD1624
f=1MHz
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
For PNP, minus sign is omitted.
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
Collector Current, IC —A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
m
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
m
V
Collector Current, IC —A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100/PR | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132T100PQ | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100/PQ | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132T100PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100QR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1124T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1124T-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1124T-TD-SSC | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SB1124U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1125 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Driver Applications |
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