參數(shù)資料
型號： 2SB1218A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-70, MPAK-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 48K
代理商： 2SB1218A
2
Transistor
2SB1218A
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
Ta=25C
–250
μ
A
–200
μ
A
–150
μ
A
–100
μ
A
–50
μ
A
I
B
=–300
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
–450
–150
–300
0
–60
–50
–40
–30
–20
–10
V
=–5V
Ta=25C
Base current I
B
(
μ
A)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–1.8
– 0.6
–1.2
0
–400
–300
–100
–250
–350
–200
–50
–150
V
=–5V
Ta=25C
B
B
μ
A
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–240
–200
–160
–120
–80
–40
V
CE
=–5V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
Collector current I
C
(mA)
C
C
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(mA)
F
F
0.1
1
10
100
0.3
Emitter current I
E
(mA)
3
30
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
=–10V
Ta=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
相關PDF資料
PDF描述
2SB1219 Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1219A Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1220 Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
2SB1221 Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1252 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1218A0L 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1218AQL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1218ARL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1218ASL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1218G0L 功能描述:TRANS PNP 45VCEO 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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