參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1218A
廠商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SC-70, MPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商: 2SB1218A
3
Transistor
2SB1218A
0.01
0.1
1
10
0.03
Emitter current I
E
(mA)
0.3
3
0
6
5
4
3
2
1
V
=–5V
f=1kHz
R
=2k
Ta=25C
N
0.1
0.3
1
3
10
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
V
CB
=–5V
R
=50k
Ta=25C
f=100Hz
10kHz
1kHz
Emitter current I
E
(mA)
N
0.1
0.3
1
3
10
1
300
100
30
10
3
V
=–5V
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
10
–4
)
Emitter current I
E
(mA)
h
–1
–3
–10
–30
–100
1
300
100
30
10
3
I
=2mA
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
10
–4
)
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
h
NF — I
E
NF — I
E
h Parameter — I
E
h Parameter — V
CE
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PDF描述
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2SB1218ASL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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