參數(shù)資料
型號： 2SB1219
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SB1219
2SB1219, 2SB1219A
Transistors
2
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
0
160
40
120
80
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
0
240
200
160
120
80
40
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
20
4
8
16
12
C
C
0
800
700
600
500
400
300
200
100
T
a
=
25
°
C
I
B
=
10 mA
98 mA
7 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
0
10
8
6
4
2
Base current I
B
(mA)
C
I
C
(
0
800
700
600
500
400
300
200
100
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.03
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.1
0.3
Collector current I
C
(A)
1
3
10
C
V
C
I
C
/
I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
0.03
1
3
10
30
100
0.1
0.3
Collector current I
C
(A)
1
3
10
B
V
B
I
C
/
I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
75
°
C
25
°
C
0.01
0.03
0.1
0.3
0
600
500
400
300
200
100
F
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(A)
1
3
10
1
3
10
30
100
2
20
5
50
T
T
0
240
200
160
120
80
40
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
24
20
16
12
8
4
3
10
30
100
50
20
5
2
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
1
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
3
10
30
100
300
1 000
C
C
0
120
100
80
60
40
20
I
C
=
2 mA
T
a
=
25
°
C
2SB1219A
2SB1219
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB1219AQR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1219ASL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1219GSL 功能描述:TRANS PNP 25VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1220 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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