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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1299 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) |
| 中文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SB1299 |
2
Power Transistors
2SB1299
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
60
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–12
–10
–8
–6
–4
–2
T
C
=25C
–80mA
–60mA
–40mA
–20mA
–10mA
–5mA
–2mA
I
B
=–100mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
V
CE
=–4V
25C
–25C
T
C
=125C
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=40
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
10
10000
1000
100
30
300
3000
V
CE
=–4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
1000
100
10
3
30
300
V
=–12V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
C
o
0
–8
–2
–6
–4
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
on
t
f
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=40
(–I
B1
=I
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
Collector current I
C
(A)
S
o
,
s
,
f
μ
s
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
Non
repetitive
pulse
T
C
=25C
t=1ms
I
CP
I
C
10ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1314 | FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION |
| 2SB1317 | Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification) |
| 2SB1319 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SB1320 | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SB1320A | Silicon PNP epitaxial planer type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB12990P | 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1299P | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1301-T2 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1302S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1302T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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