參數(shù)資料
型號： 2SB1299
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
中文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 53K
代理商： 2SB1299
3
Power Transistors
2SB1299
R
th(t)
— t
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
0.1
1
10
100
10000
1000
(1)
(2)
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) P
T
=10V
×
0.2A (2W) and without heat sink
(2) P
T
=10V
×
1.0A (10W) and with a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1314 FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION
2SB1317 Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification)
2SB1319 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
2SB1320 Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1320A Silicon PNP epitaxial planer type
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參數(shù)描述
2SB12990P 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1299P 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1301-T2 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SB1302S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1302T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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