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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1320A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | 2SB1320A |
Transistors
2SB1320A
Silicon PNP epitaxial planer type
1
For general amplification
Complementary to 2SD1991A
I
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Allowing supply with the radial taping
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
60
50
7
200
100
V
Collector to emitter voltage
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
CP
I
C
V
Peak collector current
mA
Collector current
mA
Collector power dissipation
P
C
T
j
T
stg
400
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
20 V, I
B
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
, f
=
1 MHz
1
1
μ
A
μ
A
I
CEO
V
CBO
V
CEO
Collector to base voltage
60
50
7
V
Collector to emitter voltage
V
Emitter to base voltage
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
Forward current transfer ratio
*
160
460
Collector to emitter saturation voltage
1
V
Transition frequency
f
T
C
ob
80
MHz
Collector output capacitance
3.5
pF
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note)*: Rank classification
Unit: mm
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05
2.5
±
0.1
3
±
0
1
±
0
(1.45)
0.8
0.7
4.0
0
0
0
1
0.65 max.
0.45
+
0.1
0.05
0
+
0
0
2.5
±
0.5
2.5
±
0.5
2
±
0
1
2
3
1.2
±
0.1
0.65
0.45
0.1
+
(HW Type)
Note) In addition to the
lead type shown in
the upper figure,
the type as shown
in the lower figure
is also available.
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT1 Type Package
Rank
Q
R
S
No-rank
h
FE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
160 to 460
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.
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