參數(shù)資料
型號： 2SB1322A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
中文描述： 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2SB1322A
2SB1322A
Transistors
2
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
0
160
40
120
80
140
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Copper plate at the collector
is more than 1 cm
2
in area,
1.7 mm in thickness.
C
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–10
–2
–4
–8
–6
1.5
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
1 mA
2 mA
3 mA
4 mA
5 mA
6 mA
7 mA
8 mA
9 mA
I
B
=
10 mA
C
C
T
a
=
25
°
C
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
12
2
10
4
8
6
Base current I
B
(mA)
C
I
C
(
V
CE
=
10 V
T
C
=
25
°
C
1
3
10
30
100
3
10
25
°
C
T
a
=
100
°
C
25
°
C
C
V
C
Collector current I
C
(A)
I
C
/
I
B
=
10
0.01
0.03
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
T
a
=
25
°
C
100
°
C
25
°
C
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(A)
B
V
B
I
C
/
I
B
=
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
10
3
0
100
200
300
500
400
T
a
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
V
CE
=
10 V
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(A)
1
3
10
30
100
20
5
2
50
0
40
80
120
200
160
20
60
100
180
140
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
60
50
40
30
20
10
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
0.1
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
0.3
1
3
10
30
100
0
120
100
80
60
40
20
C
C
I
C
=
10 mA
T
a
=
25
°
C
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PDF描述
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2SB1322AQ 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1322AR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1322AS 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1324-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:omo 30V 3A 70 to PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
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