參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1462L
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： For General Amplification
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ML4-N1, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SB1462L
Transistors
2SB1462L
Silicon PNP epitaxial planar type
1
Publication date: April 2003
SJC00088BED
For general amplification
Complementary to 2SD2216L
■
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Mold leadless type package, allowing downsizing and thinning of
the equipment and automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
60
50
7
100
200
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
mA
Peak collector current
I
CP
mA
Collector power dissipation
*
P
C
T
j
T
stg
150
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Note)*: Print circuit board: Copper foil area of 20.0 mm
2
or more, and the
board thickness of 1.6 mm for the collector portion
Marking Symbol: J
0
±
0
0
±
0
0
±
0
0
1.00
±
0.05
0.60
±
0.05
0.60
0.05
±
0.03
0.30
±
0.03
0.020
±
0.010
1
2
4
3
2
1
3
4
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collector
4: Collector
ML4-N1 Package
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emiter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
100
μ
A, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
2mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
60
50
7
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emiter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
CBO
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
100
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
Forward current transfer ratio
h
FE
180
390
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.3
0.5
V
Transition frequency
f
T
C
ob
80
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
2.7
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1462 Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1463 Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
2SB1470 For Power Amplification
2SB1481 TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS)
2SB1488 Silicon PNP triple diffusion planer type(For power switching)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1463GRL 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1463JRL 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1472-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF
2SB1474TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1481(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
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