參數(shù)資料
型號： 2SB1470
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： For Power Amplification
中文描述： 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP-3L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 84K
代理商： 2SB1470
Power Transistors
2SB1470
Silicon PNP triple diffusion planar type darlington
1
Publication date: March 2003
SJD00076BED
For power amplification
Complementary to 2SD2222
■
Features
Optimum for 120 W HiFi output
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
■
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
160
160
5
8
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
A
Peak collector current
I
CP
A
Collector power dissipation
P
C
150
W
T
a
=
25
°
C
3.5
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Internal Connection
B
C
E
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
30 mA, I
B
=
0
V
CB
=
160 V, I
E
=
0
V
CE
=
160 V, I
B
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
1 A
V
CE
=
5 V, I
C
=
7 A
I
C
=
7 A, I
B
=
7 mA
I
C
=
7 A, I
B
=
7 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.5 A, f
=
1 MHz
160
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
I
CEO
100
100
100
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
Forward current transfer ratio
h
FE1
h
FE2
*
1
000
3
500
20
000
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
3
3
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
V
Transition frequency
20
MHz
Turn-on time
t
on
I
C
=
7 A, I
B1
=
7 mA, I
B2
=
7 mA
V
CC
=
50 V
1.0
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
t
f
1.5
Fall time
1.2
Rank
Q
S
P
h
FE2
3
500 to 10
000 5
000 to 15
000 7
000 to 20
000
20.0
±
0.5
2.0
±
0.3
3.0
±
0.3
1.0
±
0.2
5.45
±
0.3
10.9
±
0.5
1
2
3
2
±
0
(
(
S
(
(
(
(
(1.5)
2
±
0
5.0
±
0.3
(3.0)
φ
3.3
±
0.2
(1.5)
2.7
±
0.3
0.6
±
0.2
(
(
Unit: mm
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TOP-3L-A1 Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1481 TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
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2SB1474TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1481(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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