參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1463
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
中文描述： 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2SB1463
2
Transistor
2SB1463
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
150
125
100
75
50
25
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–100
–80
–60
–40
–20
–90
–70
–50
–30
–10
Ta=25C
–2mA
–1mA
–3mA
–4mA
–5mA
I
B
=––6mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
CE
=–5V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–5V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0.1
1
10
100
0.3
Emitter current I
E
(mA)
3
30
0
250
200
150
100
50
225
175
125
75
25
V
=–10V
Ta=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
10
8
6
4
2
9
7
5
3
1
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1470 For Power Amplification
2SB1481 TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS)
2SB1488 Silicon PNP triple diffusion planer type(For power switching)
2SB1490 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1492 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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