參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1470
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： For Power Amplification
中文描述： 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP-3L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： 2SB1470
2SB1470
2
SJD00076BED
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
t
on
,
t
stg
,
t
f
I
C
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
40
80
120
160
200
(1)T
C
=Ta
(2)With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(P
C
=3.5W)
(1)
(3)
(2)
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
16
4
12
8
2
6
4
8
T
C
=25C
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
I
B
=–1.0mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
C
/I
B
=1000
T
C
=25C
25C
125C
C
C
Collector current I
C
(A)
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/I
B
=1000
T
C
=–25C
25C
125C
B
B
Collector current I
C
(A)
0.1
Collector current I
C
(A)
1
10
10
10
2
10
3
10
4
10
5
F
F
V
CE
=–5V
T
C
=125C
25C
–25C
0.1
1
10
100
1
10
10
2
10
3
10
4
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.01
0.1
1
10
100
0
10
8
6
4
2
Collector current I
C
(A)
T
o
s
f
μ
s
t
stg
t
f
t
on
Pulsed t
w
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=1000
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
CP
I
C
t=10ms
t=1ms
Non repetitive pulse
T
C
=25C
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1481 TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
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