參數(shù)資料
型號： 2SB1599
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type(For power amplification)
中文描述： 1500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 39K
代理商： 2SB1599
1
Transistor
2SB1599
Silicon PNP epitaxial planer type
For power amplification
Complementary to 2SD2457
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
B
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
–50
–40
–5
–3
– 0.6
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
h
FE*
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –20V, I
E
= 0
V
CE
= –12V, I
B
= 0
V
EB
= –5V, I
C
= 0
I
C
= –1mA, I
E
= 0
I
C
= –10mA, I
B
= 0
V
CE
= –5V, I
C
= –1A
I
C
= –1.5A, I
B
= –0.15A
I
C
= –2A, I
B
= –0.2A
V
CB
= –5V, I
E
= 0.5A, f = 200MHz
V
CB
= –5V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–50
–40
50
typ
– 0.4
150
70
max
–1
–100
–100
220
–1
–1.5
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
Marking symbol :
1X
*
h
FE
Rank classification
Rank
P
Q
R
h
FE
50 ~ 100
80 ~ 160
100 ~ 220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1602 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SB1603 Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB1603A Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB1604 Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB1605A Silicon PNP epitaxial planar type(For low-freauency power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB15990QL 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SB1617(TP,Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
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2SB1625 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE
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