參數(shù)資料
型號： 2SB1599
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type(For power amplification)
中文描述： 1500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SB1599
2
Transistor
2SB1599
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–4.0
–3.0
–1.0
–2.5
–3.5
–2.0
– 0.5
–1.5
T
C
=25C
I
B
=–40mA
–30mA
–25mA
–20mA
–15mA
–10mA
–35mA
–5mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.01
–3
–1
– 0.1
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/I
B
=10
Ta=100C
25C
–25C
C
C
– 0.01
–3
–1
– 0.1
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/I
B
=10
Ta=–25C
25C
100C
B
B
1
–3
–1
– 0.1
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
3
10
30
100
300
1000
V
CE
=–5V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Emitter current I
E
(A)
0.3
3
0
240
200
160
120
80
40
V
=–5V
f=50MHz
Ta=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
150
120
60
90
30
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
0
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
0.01
0.1
1
10
–80
–60
–20
–50
–70
–40
–10
–30
Ta=25C
2SA699A
2SA699
C
C
0
120
100
80
20
60
40
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=–12V
Ambient temperature Ta (C)
I
C
I
C
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
V
CER
— R
BE
I
CEO
— Ta
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1602 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SB1603 Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB1603A Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB1604 Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB1605A Silicon PNP epitaxial planar type(For low-freauency power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB15990QL 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB15990RL 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1617(TP,Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
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2SB1625 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE
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