參數(shù)資料
型號： 2SB1691WL
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
中文描述： 硅外延刨床進步黨低頻功率放大器
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SB1691WL
Rev.2.00, Dec.09.2004, page 1 of 4
2SB1691
Silicon PNP Epitaxial Planer
Low Frequency Power Amplifier
REJ03G0482-0200
(Previous ADE-208-1387A (Z))
Rev.2.00
Dec.09.2004
Features
Small size package: MPAK (SC–59A)
Large Maximum current: I
C
= –1 A
Low collector to emitter saturation voltage: V
CE(sat)
= –0.3 V max.(at I
C
/I
B
= –0.5 A/–0.05 A)
High power dissipation: P
C
= 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm))
Complementary pair with 2SD2655
Outline
1
2
3
1. Emitter
2. Base
3. Collector
MPAK
Note:
Marking is “WL-“.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Item
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
ic(peak)
P
C
Tj
Tstg
Ratings
60
50
–6
–1
–2
800*
150
55 to +150
Collector to base Voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note:
*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)
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PDF描述
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