參數(shù)資料
型號: 2SB1691WL
廠商: Renesas Technology Corp.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
中文描述: 硅外延刨床進步黨低頻功率放大器
文件頁數(shù): 3/5頁
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代理商: 2SB1691WL
2SB1691
Rev.2.00, Dec.09.2004, page 3 of 4
–1
–10
–1000
Collector Current I
C
(mA)
G
T
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
100
200
300
400
0
–100
–100
–1000
Collector Current I
C
(mA)
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
1
–1
100
1000
–10
–0.1
–1
–10
–100
1
10
100
1000
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
C
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
–100
–1000
Collector Current I
C
(mA)
C
C
Saturation Voltage vs.
Collector Current
–0.002
–0.01
–0.1
–1
–1
–10
D
F
10
B
B
500
V
CE
= –2 V
Pulse
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
/I
B
= 10
Pulse
–2
V
CE
= –2 V
Pulse
f = 1MHz
I
E
= 0
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PDF描述
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2SB1694T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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