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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC1318A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification) |
| 中文描述： | 500 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SC1318A |
2
Transistor
2SC1318A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
I
CBO
— Ta
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B
=–10mA
9mA
8mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Ta=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
=10V
Ta=25C
Base current I
B
(mA)
C
C
1
10
100
1000
3
30
300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(mA)
C
C
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=–25C
25C
75C
Collector current I
C
(A)
B
B
1
10
100
1000
3
30
300
0
300
250
200
150
100
50
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(mA)
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
200
160
120
80
40
180
140
100
60
20
V
=10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
50
40
30
20
10
45
35
25
15
5
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0
180
60
120
1
10
10
2
10
3
10
4
V
CB
=20V
Ambient temperature Ta (C)
I
C
I
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC1324 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(Broadband amplifiers from VHF to UHF band) |
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| 2SC1327 | Si NPN Epitaxial Planar |
| 2SC1335 | LOW FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER |
| 2SC1359 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC1318AQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
| 2SC1318AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
| 2SC1318ARA | 功能描述:TRANS NPN 70VCEO 500MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC1318AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
| 2SC1318ATA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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