參數(shù)資料
型號： 2SC5508-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益的功放平引腳4引腳薄型超微型模具
文件頁數(shù)： 2/16頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2SC5508-T2
Preliminary Data Sheet P13865EJ1V0DS00
2
2SC5508
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
–
–
200
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
–
–
200
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
50
70
100
–
RF Characteristics
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 2 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
–
0.18
0.24
pF
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 30 mA, f = 2 GHz
20
25
–
GHz
Noise Figure
NF
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz, Z
S
= Z
opt
–
1.1
1.5
dB
Insertion Power Gain
|
S
21e
|
2
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
14
17
–
dB
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
–
19
–
–
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 4
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
–
20
–
dB
Output Power at 1 dB
Compression Point
P
-1
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
Note 5
, f = 2 GHz
–
11
–
dBm
Output Power at Third Order
Intercept Point
OIP
3
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
Note 5
, f = 2 GHz
–
22
–
–
Notes 1.
Pulse measurement PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2 %
2.
Emitter to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
S
21
MAG =
S
12
S
21
MSG =
S
12
5.
Collector current when P
-1
is output
3.
k – k
2
– 1
4.
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T79
h
FE
50 to 100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5509 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5509-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5511 High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管)
2SC5525 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
2SC5526 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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