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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5509 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅射頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/15頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | 2SC5509 |
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
10
2SC5509
EQUAL NF CIRCLE
V
CE
= 2 V
I
C
= 10 mA
f = 1 GHz
Unstable Area
3.5 dB
4.0 dB
NF
min
= 0.95 dB
Γ
opt
1.5 dB
3.0 dB
2.0 dB
2.5 dB
V
CE
= 2 V
I
C
= 10 mA
f = 2 GHz
NF
min
= 1.1 dB
Γ
opt
2.0 dB
1.5 dB
2.5 dB
3.5 dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5509-T2 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 2SC5511 | High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關晶體管) |
| 2SC5525 | High-speed Switching Transistor(高速開關晶體管) |
| 2SC5526 | High-speed Switching Transistor(高速開關晶體管) |
| 2SC5531 | High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5509-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 |
| 2SC5509-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5517000LK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5521 | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR |
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