參數(shù)資料
型號: 2SC5599-FB
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大?。?/td> 101K
代理商: 2SC5599-FB
Data Sheet P15145EJ1V0DS00
4
2SC5599
VCE = 1 V
f = 2 GHz
10
8
6
4
2
0
10
1
100
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
VCE = 2 V
f = 2 GHz
10
8
6
4
2
0
10
1
100
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
VCE = 3 V
f = 2 GHz
10
8
6
4
2
0
10
1
100
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5599-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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