- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄30570 > 2SC5599-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5599-FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | 2SC5599-FB |
2SA1190, 2SA1191
5
Collector Cutoff Current vs.
Collector to Base Voltage
Collector to Base Voltage VCB (V)
0
–20
–40
–60
–80
–100
Collector
cutoff
current
I
CBO
(pA)
–1
–10
–100
–1,000
–10.000
Ta = 75
°C
IE = 0
25
–25
Collector Cutoff Current vs.
Collector to Emitter Voltage
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
0
–20
–40
–60
–80
–100
Collector
cutoff
current
I
CEO
(nA)
–0.1
–1.0
–10
–100
–1,000
Ta = 75
°C
25
–25
RBE = ∞
Emitter Cutoff Current vs.
Emitter to Base Voltage
Emitter to Base Voltage VEB (V)
0
–2–4–6–8
–10
Emitter
cutoff
current
I
EBO
(pA)
–0.1
–1.0
–10
–100
–1,000
Ta = 75
°C
25
–25
IC = 0
Collector to Emitter Breakdown Voltage vs.
Base to Emitter Resistance
Base to Emitter Resistance RBE ()
10
100
1 k
10 k
100 k
Collector
to
emitter
breakdown
voltage
V
(BR)
CER
(V)
–140
–150
–160
–170
–180
–190
Typical Value
IC = –1 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5599-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-T1-YFB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。