參數資料
型號: 2SC5599-FB
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁數: 6/10頁
文件大小: 101K
代理商: 2SC5599-FB
Data Sheet P15145EJ1V0DS00
5
2SC5599
VCE = 1 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 1 V
IC = 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 3 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 3 V
IC = 15 mA
相關PDF資料
PDF描述
2SC5599-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-T1FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-T1-YFB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1
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