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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5616-T3FB |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2SC5616-T3FB |
Data Sheet D12355EJ3V0DS
4
2SK2981
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
C
/W
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1 000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10
100
Single Pulse
Rth(ch-A) = 125 C/W
Rth(ch-C) = 6.25 C/W
TC = 25C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
ID- Drain Current - A
|
y
fs
|
-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
VDS = 10 V
Pulsed
0.1
1
10
100
10
100
0.1
Tch =
25C
75C
125C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VGS - Gate to Source Voltage - V
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
05
20
10
15
Pulsed
60
40
ID = 10 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
ID - Drain Current - A
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
40
1
60
10
100
Pulsed
0
10 V
20
VGS = 4 V
4.5 V
0.2
80
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
V
GS(off)
-
Gate
to
Source
Cut-off
Voltage
-
V
VDS = 10 V
ID = 1 mA
50
0
50
100
150
0
1.0
2.0
1.5
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5616-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):BFP 740FESD E6327DKR |
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