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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5616-T3FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2SC5616-T3FB |
Data Sheet D12355EJ3V0DS
6
2SK2981
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-251 (MP-3)
2)TO-252 (MP-3Z)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Source
Gate
Gate Protection
Diode
Body
Diode
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
2
13
6.5±0.2
5.0±0.2
4
1.5-
0.1
+0.2
5.5±0.2
7.0
MAX.
13.7
MIN.
2.3
0.75
0.5±0.1
2.3±0.2
1.6±0.2
1.1±0.2
0.5-0.1
+0.2
0.5-0.1
+0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
12
3
4
6.5±0.2
5.0±0.2
4.3
MAX.
0.8
2.3 2.3
0.9
MAX.
5.5±0.2
10.0
MAX.
2.0 MIN.
1.5-
0.1
+0.2
2.3±0.2
0.5±0.1
0.8
MAX.
0.8
1.0
MIN.
1.8TYP.
0.7
1.1±0.2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SC5616-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
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