參數(shù)資料
型號： 2SC5712
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： 2SC5712
2SC5712
2001-12-17
3
B
B
B
V
B
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
– I
C
Collector current I
C
(A)
V
BE
– I
C
0.001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1 Common emitter
β
=
50
Single nonrepetitive
pulse
Ta
=
100°C
55
25
0.1
0.001
0.01
0.1
1
1
10
100 Common emitter
IC/IB
=
50
Single nonrepetitive
pulse
Ta
=
100°C
55
25
0
0
0.4
1
1
2
3
4
0.2
0.6
0.8
IB
=
1 mA
Common emitter
Ta
=
25°C
Single nonrepetitive
pulse
70
60
50
40
30
20
10
5
2
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1000
10000 Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive
pulse
Ta
=
100°C
25
55
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1
2
3
Ta
=
100°C
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive
pulse
55
25
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