參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5843-FB-A
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SC5843-FB-A
2SD2088
2009-12-21
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 45 V, IE = 0
―
10
μA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 8 V, IC = 0
―
4
mA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
60
70
V
DC current gain
hFE
VCE = 2 V, IC = 1 A(pulse)
2000
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 1 mA (pulse)
―
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 1 mA (pulse)
―
2.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 0.5 A (pulse)
―
100
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
20
―
pF
Unclamped inductive load energy
ES/B
L = 10 mH, IC = 1.3 A, IB = ±50 mA
8.4
―
mJ
Turn-on time
ton
―
0.4
―
Storage time
tstg
―
4.0
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = 1 mA,IB2 = 1 mA
duty cycle ≤ 1%
―
0.6
―
μs
Marking
Note2: A line under a Lot No. identifies the indication of product Labels.
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to environmental matters such as the RoHS
compatibility of Product. The RoHS is the Directive 2002/95/EC of the European Parliament and of the Council of 27
January 2003 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.
D2088
Lot No.
Note2
Part No. (or abbreviation code)
I B1
20 μs
I B2
VCC = 30 V
Output
30
Ω
IB2
IB1
Input
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5849WY-TR-E UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5850LBTL-E 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5850 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5859 23 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5873STPQ 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC584500L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584600L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5846G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584800A 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA 1006 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5855 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR 2- 1700V 10A 50W BCE
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