參數(shù)資料
型號： 2SC5843-FB-A
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SC5843-FB-A
2SD2088
2009-12-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
hFE – IC
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (A)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
0.3
3
Ta = 55°C
100
25
Common emitter
IC/IB = 1000
1
3
0.6
0
0.8
1.6
0.8
1.6
2.4
3.2
Common emitter
VCE = 2 V
Ta = 100°C
25
55
4.0
0.4
1.2
2.0
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ol
le
ct
or
po
we
rdi
ss
ip
at
io
n
P
C
(W)
1.0
2.0
0.5
1.5
0
80
120
40
200
160
0
0.8
1.6
2
4
6
8
Common emitter
Ta = 25°C
IB = 170 μA
180
185
175
250
500
200
10
0.4
1.2
2.0
PC = 0.9 W
1
3
Common emitter
IC/IB = 1000
Ta = 55°C
25
100
1
3
5
0.3
0.5
DC
curre
nt
gain
h
FE
10000
0.01
30
500
1000
3000
5000
0.03
0.1
0.3
1
5
Ta = 100°C
25
55
Common emitter
VCE = 2 V
3
50
100
300
0.5
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
2SC584500L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SC5846G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584800A 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA 1006 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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