參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5859
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 23 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: 2-21F2A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大小: 237K
代理商: 2SC5859
2SC5859
2006-11-22
3
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
cu
rre
nt
gai
n
h
FE
100
1
0.01
Tc = 100°C
25
0.1
10
100
10
Common emitter
VCE = 5 V
1
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(A
)
10
0
16
12
4
2
4
6
8
10
8
20
0.6
1.5
2.0
IB = 0.2 A
4.0
2.5
Common emitter
Tc = 25℃
0.8
1.2
0.4
1.0
3.0
3.5
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Base
emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
25
Tc = 100°C
0
25
20
5
10
30
0
0.2
0.4
0.6
1.2
1.0
Common emitter
VCE = 5 V
0.8
15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5873STPQ 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5900 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5900 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5947 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5947 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5859(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SC58630QL 功能描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5865 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3,
2SC5865TL 制造商:Rohm 功能描述:NPN 60V 1A 120 to 390 TSMT3 Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3,
2SC5865TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2