參數(shù)資料
型號: 2SC5874STPR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SPT, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 98K
代理商: 2SC5874STPR
2SC5874S
Transistors
3/3
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE
(sat)
(V)
0.001
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
IC / IB
=10 / 1
Ta
=100°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
Fig.7 Base-Emitter Saturation
Voltage vs. Collecter Current
0
1.5
1
0.5
0.01
0.1
1
10
VCE
=2V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.8 Grounded Emitter
Propagation Characteristics
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Ta
=100°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
EMITTER CURRENT : IE (A)
Fig.9 Transition Frequency : fT
TRANSITION
FREQUENCY
:
fT
(MHz)
0.001
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
Ta
=25°C
VCE
=10V
0.1
1
10
100
1
10
100
BASE TO COLLECTOR VOLTAGE : VCB (V)
Fig.10 Collector Output Capacitance : Cob
Ta
=25°C
f
=1MHz
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
!
Switching characteristics measurement circuits
Collector current
waveform
Base current
waveform
IB1
90%
10%
IB2
IC
VIN
PW
IC
RL
=50
VCC
25V
PW
50 S
Duty cycle
≤ 1%
Ton
Tstg Tf
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PDF描述
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2SC5876T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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