參數(shù)資料
型號： 2SC5930
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： 2SC5930
2SC5930
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)
2SC5930
High-Speed and High-Voltage Switching Applications
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
High-speed switching: tf = 0.3 s (max) (IC = 0.3 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
600
V
Collector-emitter voltage
VCEX
600
V
Collector-emitter voltage
VCEO
285
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
1.0
Collector current
Pulse
ICP
2.0
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power
dissipation
Ta
= 25°C
Pc
1.0
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 600 V, IE = 0
100
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
100
A
Collector-base breakdown voltage
V (BR) CBO
IC = 1 mA, IB = 0
600
V
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
285
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 1 mA
30
100
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 0.2 A
40
100
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 0.6 A, IB = 0.075 A
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 0.6 A, IB = 0.075 A
1.3
V
Rise time
tr
0.5
Storage time
tstg
3.0
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1.
VCC ≈ 200 V, RL = 667
IB1 = 20 mA, IB2 = 50 mA
0.3
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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