參數(shù)資料
型號： 2SC5930
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 136K
代理商： 2SC5930
2SC5930
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)
2SC5930
High-Speed and High-Voltage Switching Applications
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
High-speed switching: tf = 0.3 s (max) (IC = 0.3 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
600
V
Collector-emitter voltage
VCEX
600
V
Collector-emitter voltage
VCEO
285
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
1.0
Collector current
Pulse
ICP
2.0
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power
dissipation
Ta
= 25°C
Pc
1.0
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 600 V, IE = 0
100
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
100
A
Collector-base breakdown voltage
V (BR) CBO
IC = 1 mA, IB = 0
600
V
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
285
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 1 mA
30
100
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 0.2 A
40
100
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 0.6 A, IB = 0.075 A
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 0.6 A, IB = 0.075 A
1.3
V
Rise time
tr
0.5
Storage time
tstg
3.0
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1.
VCC ≈ 200 V, RL = 667
IB1 = 20 mA, IB2 = 50 mA
0.3
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD0814A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SD1799 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
2SD1800 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
2SD1947A 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1953 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5930(T2MITUM,FM 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5930(TPF2,F,M) 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5931-RL 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR
2SC5936 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PANASONIC TRANSISTOR
2SC593900L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*