參數(shù)資料
型號： 2SD1947A
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： 2SD1947A
2SD1947A
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SD1947A
High-Current Switching Applications
Lamp, Solenoid Drive Applications
High DC current gain: hFE = 500 to 1500 (IC = 1 A)
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.3 V (max) (IC = 5 A)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
10
Collector current
Pulse
ICP
15
A
Base current
IB
2
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
Collector
相關PDF資料
PDF描述
2SD1953 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅(qū)動器應用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SD2165M 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165L 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165K 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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