參數資料
型號： 2SC5945TR-E
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件頁數： 19/38頁
文件大小： 378K
代理商： 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 24 of 35
S parameter
(VCE = 3.3 V, IC = 200 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.778
176.3
11.25
84.5
0.025
66.8
0.598
-168.7
500
0.780
173.8
8.87
81.7
0.030
68.3
0.603
-171.7
600
0.782
171.5
7.30
79.4
0.035
68.4
0.606
-173.9
700
0.782
169.3
6.20
77.4
0.040
68.2
0.609
-175.8
800
0.782
167.2
5.38
75.6
0.045
67.8
0.611
-177.4
900
0.782
165.1
4.74
74.0
0.050
67.4
0.614
-178.8
1000
0.782
163.2
4.24
72.5
0.055
66.9
0.615
179.9
1100
0.783
161.5
3.84
71.0
0.060
66.5
0.616
178.8
1200
0.783
159.7
3.50
69.5
0.065
65.5
0.617
177.8
1300
0.782
158.0
3.23
68.0
0.070
64.5
0.618
176.9
1400
0.781
156.1
3.00
66.5
0.075
63.9
0.619
175.9
1500
0.780
154.3
2.79
65.0
0.079
63.1
0.619
175.1
1600
0.782
152.7
2.62
63.7
0.084
62.3
0.620
174.5
1700
0.784
151.2
2.47
62.3
0.089
61.4
0.622
173.7
1800
0.783
149.7
2.32
60.9
0.093
60.3
0.621
172.9
1900
0.782
148.2
2.20
59.4
0.097
59.6
0.621
172.2
2000
0.779
146.6
2.10
58.0
0.102
58.5
0.620
171.7
2100
0.779
145.0
2.00
56.5
0.107
57.5
0.621
171.1
2200
0.780
143.4
1.92
55.1
0.111
56.5
0.620
170.4
2300
0.782
142.0
1.84
53.8
0.115
55.6
0.620
169.8
2400
0.782
140.7
1.76
52.5
0.120
54.6
0.619
169.2
2500
0.782
139.4
1.70
51.2
0.125
53.6
0.619
168.6
2600
0.779
137.8
1.64
49.6
0.129
52.5
0.618
168.0
2700
0.777
136.3
1.58
48.2
0.133
51.6
0.617
167.4
2800
0.777
134.7
1.53
46.7
0.137
50.5
0.616
166.8
2900
0.778
133.4
1.48
45.4
0.142
49.5
0.615
166.2
3000
0.779
132.1
1.44
44.1
0.146
48.4
0.615
165.5
相關PDF資料
PDF描述
2SC5945TR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5975 HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*