參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5945TR-E
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件頁(yè)數(shù): 35/38頁(yè)
文件大?。?/td> 378K
代理商: 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 4 of 35
Pin-Pout Characteristics
0
20
40
60
80
100
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
Output
Power
P
out
(d
B
m
)
Power
Added
Efficiency
PA
E
(%
)
VBB : Bias Adjustment
Power
Added
Efficiency
PA
E
(%
)
* 1
F
0.22 nF 1000 pF
100 pF // 15 pF
15 pF
100 pF // 15 pF
4.7 nH
10 nH
1000 pF 0.22 nF
* 1
F
0.75 pF
0.5 pF
1.0 nH
22
VCC = +3.3 V
1 pF
22 nH 0.75 pF
OUT
IN
Output Power, Power Added Efficiency
vs. Input Power
Input Power Pin (dBm)
Output
Power
P
out
(d
B
m
)
30
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
Power
Gain
PG
(d
B
)
Power Gain vs. Input Power
Input Power Pin (dBm)
30
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
Input Power Pin (dBm)
Power
Gain
PG
(d
B
)
30
++
PAE
Pout
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 100 mA
PAE
Pout
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 250 mA
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 100 mA
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 250 mA
-
Output Power, Power Added Efficiency
vs. Input Power
Power Gain vs. Input Power
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PDF描述
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