參數(shù)資料
型號: 2SC5945TR-E
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件頁數(shù): 2/38頁
文件大?。?/td> 378K
代理商: 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 8 of 35
S parameter
(VCE = 3 V, IC = 10 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.748
-149.1
7.99
94.1
0.061
23.0
0.475
-124.4
500
0.751
-158.6
6.48
88.1
0.063
22.1
0.457
-133.2
600
0.755
-165.6
5.42
83.5
0.064
21.5
0.449
-139.7
700
0.758
-170.8
4.63
79.8
0.065
21.8
0.445
-144.6
800
0.760
-175.2
4.02
76.6
0.066
22.1
0.443
-148.6
900
0.762
-178.9
3.55
73.8
0.067
22.7
0.443
-151.8
1000
0.765
177.8
3.17
71.3
0.068
23.5
0.444
-154.5
1100
0.768
174.9
2.87
69.0
0.070
24.6
0.446
-156.8
1200
0.770
172.1
2.62
66.7
0.071
25.5
0.447
-158.7
1300
0.771
169.7
2.41
64.5
0.073
26.1
0.449
-160.4
1400
0.772
167.2
2.23
62.4
0.074
27.2
0.452
-161.8
1500
0.774
164.8
2.07
60.4
0.076
27.9
0.454
-163.1
1600
0.776
162.7
1.94
58.5
0.077
29.0
0.456
-164.2
1700
0.780
160.7
1.82
56.7
0.079
29.7
0.459
-165.2
1800
0.781
158.9
1.71
54.8
0.081
30.3
0.462
-166.1
1900
0.781
157.1
1.62
52.9
0.083
31.1
0.465
-166.9
2000
0.781
155.1
1.54
51.1
0.085
31.6
0.468
-167.6
2100
0.782
153.2
1.47
49.3
0.088
32.1
0.470
-168.3
2200
0.784
151.4
1.40
47.5
0.090
32.7
0.473
-168.9
2300
0.788
149.8
1.34
46.0
0.092
33.1
0.476
-169.5
2400
0.790
148.3
1.28
44.3
0.095
33.4
0.478
-170.1
2500
0.791
146.8
1.23
42.7
0.097
33.8
0.481
-170.6
2600
0.789
145.1
1.18
40.9
0.100
33.9
0.483
-171.1
2700
0.789
143.3
1.14
39.2
0.102
34.2
0.486
-171.7
2800
0.790
141.6
1.10
37.5
0.105
34.4
0.488
-172.2
2900
0.793
140.1
1.07
36.1
0.108
34.4
0.491
-172.7
3000
0.795
138.7
1.03
34.5
0.111
34.3
0.493
-173.3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5945TR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5975 HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2