參數(shù)資料
型號： 2SC5976
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： 2SC5976
2SC5976
2004-07-01
4
T
r
t
(
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
1000
1
1000
0.01
0.1
1
10
100
10
100
Curves should be applied in thermal limited area.
Single nonrepetitive pulse Ta
=
25°C
Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm
2
)
*
: Single nonrepetitive pulse
Ta
25°C
Note that the curves for 100 ms,
10 s and DC operation will be
different when the devices aren’t
mounted on an FR4 board (glass
epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
).
These characteristic curves must
be derated linearly with increase
in temperature.
1 ms*
10 ms*
100 μs*
IC max (Pulsed)*
DC operation
Ta = 25°C
IC max (Continuous)*
10 s*
100 ms*
V
Collector
emitter voltage V
CE
(V)
Safe operating area
0.01
0.1
0.1
1
10
1
10
100
C
C
10 μs*
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PDF描述
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