參數資料
型號： 2SC6023
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to C Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications
中文描述： 瑞展超高頻硅晶體管的C波段低噪聲放大器和OSC應用
文件頁數： 11/15頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SC6023
2SC6023
No.8143-11/15
S Parameters (Common emitter)
VCE=3V, IC=10mA, ZO=50
Freq(MHz)
S
11
200
0.821
400
0.727
600
0.624
∠
S
11
--23.6
--50.3
--74.0
S
21
16.540
15.780
13.461
∠
S
21
155.6
134.6
118.6
S
12
0.018
0.036
0.049
∠
S
12
82.5
73.8
67.3
S
22
0.929
0.832
0.714
∠
S
22
--21.2
--40.5
--56.1
800
1000
1200
0.528
0.450
0.401
--93.7
--112.1
--127.3
11.167
9.502
8.122
106.3
96.7
89.3
0.059
0.067
0.075
61.9
59.1
57.3
0.613
0.536
0.481
--67.7
--76.4
--83.4
1400
1600
1800
0.372
0.351
0.339
--139.4
--151.3
--161.6
7.029
6.206
5.540
83.7
78.5
73.9
0.083
0.090
0.097
56.5
55.8
55.2
0.442
0.414
0.393
--89.4
--94.6
--99.4
2000
2200
2400
0.333
0.331
0.332
--171.0
--179.5
172.5
4.999
4.545
4.175
69.6
65.7
61.9
0.104
0.112
0.120
54.5
53.5
53.2
0.378
0.368
0.361
--103.8
--107.7
--111.7
2600
2800
3000
0.332
0.337
0.342
165.5
159.1
153.3
3.851
3.578
3.341
58.3
54.9
51.7
0.127
0.134
0.142
52.6
51.9
51.0
0.356
0.354
0.355
--115.1
--118.2
--121.2
3200
3400
3600
0.349
0.357
0.366
147.9
142.8
138.1
3.140
2.962
2.803
48.4
45.1
42.0
0.150
0.158
0.166
50.0
49.0
48.1
0.358
0.362
0.367
--124.4
--127.4
--130.5
3800
4000
4200
0.376
0.386
0.395
133.5
129.4
125.3
2.658
2.528
2.408
38.9
35.8
32.8
0.174
0.182
0.190
46.9
45.6
44.5
0.373
0.378
0.385
--133.4
--136.3
--139.1
4400
4600
4800
0.404
0.413
0.422
121.4
117.9
114.3
2.300
2.200
2.108
29.8
26.9
24.0
0.198
0.205
0.213
43.2
41.9
40.5
0.392
0.399
0.407
--141.8
--144.5
--147.1
5000
5200
5400
0.430
0.439
0.447
110.9
107.7
104.5
2.022
1.943
1.869
21.1
18.4
15.7
0.221
0.229
0.236
39.0
37.8
36.3
0.414
0.422
0.429
--149.5
--152.1
--154.5
5600
5800
6000
0.455
0.461
0.468
101.4
98.4
95.5
1.801
1.738
1.680
13.0
10.4
7.8
0.244
0.252
0.259
34.9
33.5
32.0
0.436
0.443
0.451
--156.8
--158.9
--161.1
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